История полупроводникового производства в СССР начинается в 1947 году, когда в Томилино была смонтирована линия по производству германиевых детекторов для радиолокации, вывезенная из Германии. Разработками диодов для нее занималась исследовательская группа в НИИ-160 (ныне НПП "Исток) под руководством А. В. Красилова.
В декабре 1948 года в институте была поставлена первая НИР по транзисторам. Работа была выполнена Сусанной Гукасовной Мадоян - дипломницей Московского химико-технологического института - и в феврале 1949 года был создан первый в нашей стране макет точечного германиевого транзистора. Именно этот макет и стал первым советским транзистором. С этого момента прошло уже шестьдесят лет...
Первый лабораторный образец работал не больше часа, а затем требовал новой настройки.
Тогда же Красилов и Мадоян опубликовали первую в Советском Союзе статью о транзисторах, называвшуюся «Кристаллический триод».
В 1950 году к работам по транзисторам подключился ЦНИИ-108 МО (ныне ЦНИРТИ). Исследования транзисторов тогда шли параллельно во многих научных организациях. В начале 50-х годов первые точечные транзисторы были изготовлены В. Е. Лашкаревым в лаборатории при Институте физики АН Украинской ССР. Экспериментальные образцы также были созданы в 1950 году в Физическом институте Академии наук и Ленинградском физико-техническом институте.
К сожалению, в тот период одинаковые открытия делались независимо друг от друга, а их авторы не имели информации о достижениях своих коллег. Причиной тому была секретность исследований в области электроники, имевшей оборонное значение.
Так шло до ноября 1952 года, пока не вышел специальный номер радиотехнического журнала США, полностью посвященный транзисторам. В начале 1953 года академик А. И. Берг (будучи тогда заместителем министра обороны) подготовил письмо в ЦК КПСС о развитии работ по транзисторам. В мае министр промышленности средств связи М. Г. Первухин провел в Кремле совещание, посвященное полупроводникам. На нем было принято решение об организации специализированного НИИ.
В 1953 году в Москве открывается отраслевой НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, ныне НПП "Пульсар"). Туда была переведена лаборатория Красилова, в которой Мадоян в том же году создала первый в Союзе опытный образец плоскостного (по тогдашней терминологии - слоистого) германиевого транзистора. Эта разработка стала основой серийных приборов типа П1, П2, П3 и их дальнейших модификаций.
Первыми серийными транзисторами, выпущенными отечественной промышленностью в конце 1953 года, были точечные триоды типов КС1 - КС8. Первые шесть типов предназначались для использования в усилительных схемах 
на частотах не свыше 5 МГц (КС6), два последних типа были предназначены для генерирования колебаний до 1,5 МГц (КС7) и до 5 МГц (КС8).
В процессе производства первых опытных партий были отработаны некоторые технологические моменты, изменена конструкция триода, разработаны новые методы контроля параметров.
Триоды типа КС были сняты с производства, и в НИИ-160 Ф. А. Щиголем и Н. Н. Спиро был начат серийный выпуск точечных транзисторов С1 - С4. Объем производства составлял несколько десятков штук в день.
Первыми промышленными типами плоскостных транзисторов были сплавные германиевые p-n-p транзисторы КСВ-1 и КСВ-2 (в дальнейшем получившие название П1 и П2), выпуск которых начался с 1955 года.
Перспективы транзисторов тогда были видны не всем. Наоборот, многие считали, что никакого серьёзного применения у них быть не может вследствие слабой повторяемости параметров и неустойчивости к температурным изменениям. Причина этого - попытка рассматривать транзистор как аналог электровакуумного триода.
Как пример - в 1956 году в Совмине состоялось совещание генеральных конструкторов, вынесшее вердикт:. Анекдот, впрочем, достаточно печальный...
Однако мнение достаточно быстро менялось. Прогресс был неумолим - в 1956 году были созданы первые кремниевые сплавные транзисторы П104-П106, в 1956-57 годах - германиевые П401-П403 (30-120 МГц), в 1957 году - П418 (500 МГц)... Транзисторы П401 были использованы в передатчике первого искусственного спутника Земли.
Этот период считается началом промышленного выпуска полупроводниковых приборов в СССР. В 1957 году советская промышленность выпустила 2,7 миллионов транзисторов.
Впрочем, в этом мы сильно отставали от США, в которых выпуск транзисторов в этом году составлял 28 миллионов штук, а число различных типов достигло 600...
Источник: http://www.155la3.ru/
Комментарии